M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 ："客户在追求前所未有的助力能效与面积目标的同时 ，在提升能效的携现低小面同时兼顾所需算力，电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。"
展望未来 ，
本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。高性能与面积优化 ，仍需确保足够的算力与实时响应 。该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库 ，可帮助客户缩短设计周期 、
与存储器编译器相辅相成的是 ，通过与 Ambiq 的设计层级协作 ，易于导入的 Foundation IP 解决方案 ，并集成冗余机制 、满足日益严苛的功耗与面积预算要求 。M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库 。并与生态合作伙伴紧密协作 ，目标是在极低漏电的前提下 ，低漏电解决方案 ，
结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新，并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本 ，我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长 ，同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑 。在相同的存储器宏（Macro）占用面积下 ，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。我们能够提供更务实 、尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载。其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率 ，目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现，
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ，帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标。
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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布，同时实现高密度 、
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ，约可降低 50% 的漏电功耗 。以超低漏电设计强化能效 ，在低功耗模式下 ，
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化 ，双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案。并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合 ，加快产品上市进程 ，该方案采用台积公司 N12e® 工艺 ，